[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310534551.1 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103560149A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 吴健;高东岳 | 申请（专利权）人： | 上海北车永电电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，绝缘栅双极型晶体管包括至少一个元胞，每个元胞包括位于第一半导体类型基底中的第二半导体类型阱、沟槽型栅极和隔离沟槽；位于基底中的沟槽型栅极包括第一绝缘介质层和位于该第一绝缘介质层中的第一多晶硅层；第二半导体类型阱位于沟槽型栅极的内侧，且该阱与该沟槽型栅极的第一绝缘介质层连接；位于基底中的隔离沟槽位于沟槽型栅极的外侧。用沟槽型栅极和隔离沟槽代替现有技术中的场氧化技术，避免了由于场氧化结构的存在而不能减少绝缘栅双极型晶体管中元胞体积及元胞之间间距的问题，有效的减小了芯片的面积并大大缩短芯片的开发周期。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括至少一个元胞，每个元胞包括位于第一半导体类型基底中的第二半导体类型阱、沟槽型栅极和隔离沟槽；位于所述基底中的沟槽型栅极包括第一绝缘介质层和位于该第一绝缘介质层中的第一多晶硅层；所述阱位于沟槽型栅极的内侧，且该阱与该沟槽型栅极的第一绝缘介质层连接；位于所述基底中的隔离沟槽位于沟槽型栅极的外侧。
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