[发明专利]摩擦电场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310534913.7 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN104600114B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张弛;唐伟;张丽敏;王中林 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;陈潇潇 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 摩擦电场效应晶体管属于柔性电子学器件领域，将摩擦起电效应和半导体效应相结合，利用外力产生摩擦，形成静电势作为门极信号，实现对半导体中载流子输运特性的调控。本发明能够将器件受到的机械作用转化为局域电子控制信号，实现了利用摩擦效应产生静电势作为栅极电压调控电子器件中载流子输运特性的新方法。与传统场效应晶体管不同，摩擦电场效应晶体管利用摩擦产生电子控制信号，取代了传统场效应晶体管中的门电极，实现了外力与电子器件的直接交互，具有较宽的外力传感范围，将广泛应用于人机交互、传感器、柔性电子学等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 摩擦 电场 效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种摩擦电场效应晶体管，包括：半导体层、在该半导体层上分隔设置的源电极和漏电极、在该半导体层的相对两侧分别设置的第一电极层和第二电极层，其特征在于，所述第一电极层与所述半导体层之间能够形成间距变化的相对运动，所述第二电极层与所述半导体层之间保持欧姆接触，所述第一电极层和第二电极层之间电连接。
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