[发明专利]制造具有低电阻装置接触的集成电路的方法有效
| 申请号： | 201310537422.8 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855080B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 赵烈;林萱;阿鲁纳恰拉姆·娲丽 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供制造具有低电阻装置接触的集成电路的方法。一种方法包含沉积绝缘材料的ILD层覆于包含金属硅化物区域的装置区域上。蚀刻该ILD层以形成定义接触开口的侧壁，该接触开口穿过该ILD层形成并暴露出该金属硅化物区域。形成衬垫覆于该侧壁和该金属硅化物区域上，以及在该接触开口中定义内部凹洞。形成覆于该衬垫以及至少部分地填充该内部凹洞的铜层。蚀刻该铜层以暴露出该衬垫的上部，并且留下铜部分设置在该内部凹洞的底部。在该铜部分上无电沉积铜，以填充该内部凹洞的余留部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 电阻 装置 接触 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
一种制造具有装置接触的集成电路的方法，该方法包括：沉积绝缘材料的ILD层覆于包含金属硅化物区域的装置区域上；蚀刻该ILD层以形成定义接触开口的侧壁，该接触开口穿过该ILD层而形成，并暴露出该金属硅化物区域；形成衬垫覆于该侧壁和该金属硅化物区域上，以及在该接触开口中定义内部凹洞；形成覆于该衬垫以及至少部分地填充该内部凹洞的铜层，其中，该铜层实质上在邻接该ILD层的顶部表面横向地窄化该接触开口；回流该铜层而将某些铜重新分布至该内部凹洞的底部，以形成部分地填充该内部凹洞的经回流铜层；蚀刻该经回流铜层以暴露出该衬垫的上部，并且留下铜部分设置在该内部凹洞的该底部；以及在该铜部分上无电沉积铜，以填充该内部凹洞的余留部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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