[发明专利]用于薄层太阳能电池的附加的底层有效

专利信息
申请号: 201310537497.6 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN104425653B 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 巴斯蒂安·希普欣;彭寿 申请(专利权)人: 中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/073
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 杨靖,车文
地址: 200063 上海市普*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种用于薄层太阳能电池的附加的底层。本发明的主题是一种用于制造CdTe薄层太阳能电池或者用于它的半成品的改进的方法,以及根据所述方法的薄层太阳能电池。所述方法设置施布附加的增附层,该增附层在前接触层后施加到该前接触层上,以便改进随后的CdS层的生长。作为用于增附层的特别优选的材料,优选以单层来设置CdTe。
搜索关键词: 用于 薄层 太阳能电池 附加 底层
【主权项】:
一种用于制造薄层太阳能电池的半成品的方法,其特征在于下述步骤:a.提供具有前接触层或者前接触层序列的透明的衬底,b.将增附层施加到所述前接触层或者前接触层序列上,其中,所述增附层具有碲、碲化镉、硒、硒化镉或者它们的混合物,并且c.将由纯的或者经改性的CdS组成的层施加到所述增附层上。
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