[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。

主权项

一种半导体器件，包括下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的多个选择元件、以及提供在所述选择元件和所述上部线之间的存储元件，其中每个所述存储元件包括：下电极，具有大于其底部宽度的顶部宽度；和数据存储层，具有圆化的边缘并且包括层叠在所述下电极的顶表面上的多个磁性层，其中所述数据存储层通过以下步骤形成：沉积所述多个磁性层，该沉积形成所述数据存储层而不使用图案化工艺。