[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310538444.6 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103545377A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/221;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/36 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该晶体管包括源极、漏极和IGZO薄膜层，还包括铪钕合金薄膜层，所述IGZO薄膜层的第一表面与所述源极和漏极接触，所述IGZO薄膜层的与第一表面相背的另一表面与所述铪钕合金薄膜层接触。本氧化物薄膜晶体管具有稳定的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，包括源极、漏极和IGZO薄膜层，其特征是：还包括铪钕合金薄膜层，所述IGZO薄膜层的第一表面与所述源极和漏极接触，所述IGZO薄膜层的与第一表面相背的另一表面与所述铪钕合金薄膜层接触。
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