[发明专利]一种Tb、Mn 和Cu 三元共掺杂的低漏电流BiFeO3 薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310539419.X | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103613372A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;董国华;罗洋洋 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/624 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜及其制备方法，将硝酸铋、硝酸铁、硝酸铽、醋酸锰和硝酸铜按（0.91-0.97）:（0.96-x）:（0.08-0.14）:0.04:x的摩尔比溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液中，然后搅拌均匀，得到BiFeO3前驱液，BiFeO3前驱液中总的金属离子浓度为0.1-0.5mol/L，x=0.01～0.02；将BiFeO3前驱液旋涂在FTO/glass基片上制备湿膜，将湿膜烘烤得干膜，然后在550℃退火8～13min，得到晶态BiFeO3薄膜，待晶态BiFeO3薄膜冷却后，再重复使晶态BiFeO3薄膜达到所需厚度，即得到Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，并且可通过共掺杂对其晶体结构进行调控从而提高薄膜的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tb mn cu 三元 掺杂 漏电 bifeo sub 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将硝酸铋、硝酸铁、硝酸铽、醋酸锰和硝酸铜按（0.91‑0.97）:（0.96‑x）:（0.08‑0.14）:0.04:x的摩尔比溶于由乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，然后搅拌均匀，得到BiFeO3前驱液；其中，BiFeO3前驱液中总的金属离子浓度为0.1～0.5mol/L；x=0.01～0.02；2）将BiFeO3前驱液旋涂在FTO/glass基片上制备湿膜，将湿膜于180～260℃烘烤得干膜，然后在550℃退火8～13min，得到晶态BiFeO3薄膜；3）待晶态BiFeO3薄膜冷却后，再重复步骤2）使晶态BiFeO3达到所需厚度，即得到Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜。
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