[发明专利]一种耐摩擦的铂/石墨烯复合结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310541304.4 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103569943A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 顾正彬;吴红艳;张善涛;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 无锡英普林纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 214192 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐摩擦的铂/石墨烯复合结构。该复合结构位于SiO2/Si衬底上，由石墨烯和金属铂的微结构阵列组成，其中石墨烯与衬底的SiO2层接触，金属铂的微结构阵列生长在石墨烯的表面。本发明将Pt金属微结构阵列与石墨烯构成一种复合耐摩擦结构，以提高石墨烯材料的摩擦特性。制备步骤：利用化学气体沉积方法在Cu箔上生长石墨烯材料，石墨烯材料的层数控制在4到10层之间，再采用FeCl3溶液腐蚀Cu箔并将石墨烯转移到SiO/Si衬底之上，然后利用掩模和磁控溅射的方法，在石墨烯的表面生长Pt金属微结构阵列。经摩擦－磨损测试表明，本发明的复合结构具有非常优良的摩擦性能，其制备方法简单，适合应用于一些需要耐摩擦的MEMS器件表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 摩擦 石墨 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种耐摩擦的铂/石墨烯复合结构，其特征在于，复合结构位于SiO2/Si衬底上，由石墨烯和金属铂的微结构阵列组成，其中所述石墨烯与衬底的SiO2层接触，所述金属铂的微结构阵列生长在石墨烯的表面。
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