[发明专利]基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构有效
| 申请号： | 201310541385.8 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103630802A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 单光宝;刘松;孙有民;李翔;贺欣 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R31/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 顾潮琪 |
| 地址： | 710000*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 发明提供了一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，在顶层硅正面和底层硅背面分别制作一号和二号欧姆接触测试点，每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后通过金属探针串接TSV铜柱和一号欧姆接触测试点的铝金属压焊点；二号直流可变电压源串接二号电流电压表后通过金属探针串接TSV铜柱与二号欧姆接触测试点的铝金属压焊点。本发明不仅可以实现完整的TSV通孔绝缘层测试，整体评估TSV通孔绝缘层质量，还可有效的判断出顶、底两部分TSV通孔绝缘层缺陷存在区域，方便筛除TSV通孔有缺陷的晶圆，增加SOI立体集成器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 衬底 tsv 绝缘 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，包括欧姆接触测试点、金属探针、直流可变电压源和电流电压表，其特征在于：在底层硅背面和顶层硅正面各制作一个欧姆接触测试点，顶层硅正面为一号欧姆接触测试点，底层硅背面为二号欧姆接触测试点；每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，当硅衬底为P型衬底时重掺杂有源区为P+型，当硅衬底为N型衬底时重掺杂有源区为N‑型，铝金属压焊点为方形；一号欧姆接触测试点的铝金属压焊点中心与TSV通孔中心的距离L≥D，D为受耐压测试TSV通孔的直径；测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后通过金属探针串接TSV铜柱和一号欧姆接触测试点的铝金属压焊点；二号直流可变电压源串接二号电流电压表后通过金属探针串接TSV铜柱与二号欧姆接触测试点的铝金属压焊点。
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