[发明专利]氧化铈抛光粉及其制备方法有效
| 申请号： | 201310542032.X | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103571334A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 赵月昌;高玮;陈曦;蒙素玲;郝祥;杨筱琼 | 申请（专利权）人： | 上海华明高纳稀土新材料有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;C01F17/00 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 左祝安 |
| 地址： | 201613 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铈抛光粉。氧化铈的纯度CeO2/TREO≥99.95%；氧化铈为晶型为单相立方晶系的CeO2粉末；氧化铈的形貌为圆饼状，平均粒径为1μm。还公开了其制备方法，包括氯化铈水溶液的制备、沉淀、脱水、焙烧、粉碎等。与现有制备方法相比，本发明制备的抛光粉为氧化铈抛光粉，在制备过程中无需引入F，具有工艺简单，成本低，无废水的优点；氧化铈抛光粉对制品的抛光过程中无划伤、抛光精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
氧化铈抛光粉，其特征在于，氧化铈的纯度CeO2/TREO≥99.95%；氧化铈为晶型为单相立方晶系的CeO2粉末；氧化铈的形貌为圆饼状，平均粒径为1μm。
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