[发明专利]晶圆级封装方法

摘要

一种晶圆级封装方法，包括：提供基底，基底具有正面和背面，在正面中形成有层间介质层和位于层间介质层上的焊垫；在基底的背面形成第一通孔，第一通孔露出层间介质层；在基底的背面和第一通孔侧壁形成聚合物层；刻蚀层间介质层，在刻蚀层间介质层的过程还刻蚀去除聚合物层；重复在基底背面和第一通孔侧壁形成聚合物层，和刻蚀层间介质层，在刻蚀层间介质层的过程还刻蚀去除聚合物层的步骤，至焊垫露出停止，形成第二通孔。使用本技术方案，在刻蚀层间介质层过程中，聚合物层保护基底的背面和第一通孔侧壁，基底背面和第一通孔侧壁不会遭到损伤，基底背面和第一通孔侧壁表面光滑，保证后续第二通孔中的再布线的电信号良好，封装结构的性能较佳。

主权项

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有正面和背面，在所述正面中形成有层间介质层和位于层间介质层上的焊垫；在所述基底的背面形成第一通孔，所述第一通孔露出层间介质层；在所述基底的背面形成第一通孔的方法包括：使用光刻、刻蚀工艺，在所述基底背面形成第一开口，所述第一开口露出层间介质层，所述第一开口的侧壁垂直于基底的背面；刻蚀基底的背面和第一开口侧壁形成第一通孔，所述第一通孔侧壁与基底背面之间的夹角大于90°；在所述基底的背面和第一通孔侧壁形成聚合物层；刻蚀所述层间介质层，在刻蚀层间介质层的过程还刻蚀去除聚合物层，在刻蚀所述层间介质层的过程中，基底的背面和第一通孔的侧壁由于受到聚合物层的保护而不会遭到损伤；重复在基底的背面和第一通孔侧壁形成聚合物层，和刻蚀层间介质层，在刻蚀层间介质层的过程还刻蚀去除聚合物层的步骤，至焊垫露出停止，形成第二通孔；在基底的背面和第一通孔侧壁形成聚合物层的方法包括：使用第一碳氟气体刻蚀所述基底的背面和第一通孔侧壁，在刻蚀过程中第一碳氟气体等离子体化后的等离子体与基底的材料反应生成聚合物层，所述聚合物层覆盖基底的背面和第一通孔侧壁。