[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310542137.5 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103915511A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 洪坰国;李钟锡;千大焕;郑永均 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/10;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基势垒二极管，其包括：n+型碳化硅衬底；布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型外延层，其包括电极区以及位于电极区的外部的端接区；布置在端接区中的n-型外延层上的第一沟槽和第二沟槽；布置在第一沟槽和第二沟槽的下方的p区；布置在电极区中的n-型外延层上的肖特基电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一沟槽和第二沟槽位置相邻以形成台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，包括：n+型碳化硅衬底；n‑型外延层，布置在所述n+型碳化硅衬底的第一表面上且包括电极区和位于所述电极区的外部的端接区；第一沟槽和第二沟槽，布置在所述端接区中的n‑型外延层上；p区，布置在所述第一沟槽和所述第二沟槽的下方；肖特基电极，布置在所述电极区中的n‑型外延层上；以及欧姆电极，布置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽位置相邻以形成台阶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代自动车株式会社，未经现代自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310542137.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高密度路网条件下的公交绿波信号控制方法
- 下一篇：一种木耳汤的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
