[发明专利]一种纳米线及阵列的形成方法有效
| 申请号： | 201310542253.7 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104609360A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;马小龙;殷华湘;徐秋霞;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米线的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底上具有硬掩膜；刻蚀步骤与钝化步骤交替进行，以形成糖葫芦形貌，其中，钝化步骤包括：进行氧化，以形成钝化层；去除半导体衬底表面的钝化层；而后，氧化糖葫芦形貌并进行释放，以形成纳米线。本发明中，进行钝化步骤，以在每次刻蚀完成后，在已形成的糖葫芦形貌的侧壁上形成钝化层，这样，在下一刻蚀周期保护已形成的糖葫芦形貌的侧壁，并减少聚合物的产生，工艺造价低且简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底上具有硬掩膜；刻蚀步骤与钝化步骤交替进行，以形成糖葫芦形貌，其中，钝化步骤包括：进行氧化，以形成钝化层；去除半导体衬底表面的钝化层；氧化糖葫芦形貌并进行释放，以形成纳米线。
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