[发明专利]沟道区应变的测量方法在审
| 申请号： | 201310543023.2 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104617005A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡博修;黄怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟道区应变的测量方法，包括：提供多个器件区域；在各器件区域形成同一导电类型的待测晶体管，所述待测晶体管包括位于半导体衬底中的离子注入区和位于相邻两离子注入区之间的沟道区，不同器件区域内待测晶体管的离子注入区结构具有差异；采用紫外光光斑对各器件区域依次进行照射，并获取各器件区域内待测晶体管的离子注入区和沟道区返回的总拉曼光谱；根据不同器件区域内待测晶体管返回的不同总拉曼光谱，分离出沟道区的拉曼光谱，并获得所述沟道区的应变量。所述方法测量得到的沟道区应变真实准确，并且整个方法简便可行，节省成本，对晶体管没有损坏作用，光谱范围大，频移不受光源频率限制，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 应变 测量方法 | ||
【主权项】：
一种沟道区应变的测量方法，其特征在于，包括：提供多个器件区域；在各器件区域形成同一导电类型的待测晶体管，所述待测晶体管包括位于半导体衬底中的离子注入区和位于相邻两离子注入区之间的沟道区，不同器件区域内待测晶体管的离子注入区结构具有差异；采用紫外光光斑对各器件区域依次进行照射，并获取各器件区域内待测晶体管的离子注入区和沟道区返回的总拉曼光谱；根据不同器件区域内待测晶体管返回的不同总拉曼光谱，分离出沟道区的拉曼光谱，并获得所述沟道区的应变量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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