[发明专利]压力传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201310543025.1 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104616971B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;汪新学;倪梁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B81C1/00;G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种压力传感器及其形成方法，其中压力传感器的形成方法包括提供基底，在基底上形成有晶体管；形成层间介质层，层间介质层覆盖基底和晶体管，在层间介质层中形成有下极板，下极板的上表面暴露；在层间介质层上形成SiGe层，在SiGe层与下极板之间形成空腔；在SiGe层上形成刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成第一SiN层；刻蚀第一SiN层形成按压部和包围按压部的边缘部，至刻蚀停止层上表面露出，按压部与边缘部相互隔开，按压部对应空腔位置，在刻蚀第一SiN层的过程使用的刻蚀气体包括第一含氟气体；刻蚀刻蚀停止层，至SiGe层露出。使用本技术方案形成的压力传感器，可靠性提高，性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有晶体管；形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述基底和晶体管，在所述层间介质层中形成有下极板，所述下极板的上表面暴露；在所述层间介质层上形成SiGe层，在所述SiGe层与下极板之间形成空腔；在所述SiGe层上形成刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上形成第一SiN层，其中，刻蚀停止层比SiGe层的刻蚀选择比高；刻蚀所述第一SiN层形成按压部和包围按压部的边缘部，至所述刻蚀停止层上表面露出，所述按压部与边缘部相互隔开，所述按压部对应所述空腔位置，在刻蚀所述第一SiN层的过程使用的刻蚀气体包括第一含氟气体；刻蚀所述刻蚀停止层，至SiGe层露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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