[发明专利]一种氮化物发光二极管的外延结构有效
申请号: | 201310543241.6 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN103594579A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 吴小明;刘军林;江风益 | 申请(专利权)人: | 南昌黄绿照明有限公司;南昌大学 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/12 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330047 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构,它包括衬底,依次形成于衬底上的缓冲层、n型层,多量子阱层和p型层,特征是:所述n型层由从下向上依次叠加的n型GaN层、n型层内应力释放层、n型层内势垒阻挡层和n型层内电子注入层组成。p层由p-AlxInyGa1-x-yN:Mg构成,其中0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1。所述n型层内势垒阻挡层由AlxGa1-xN构成,且不掺杂,可避免发光二极管在正向导通和承受反向电压时在V形坑处形成漏电流,从而大大提高其可靠性。本发明将提高LED可靠性的方法融于材料生长过程中,不引入新的制造工序,不增加器件的制造成本且不影响器件制造的合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化物 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】:
一种氮化物发光二极管的外延结构,包括衬底、依次形成于衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层,其特征在于:所述n型层由从下向上依次叠加的n型GaN层、n型层内应力释放层、n型层内势垒阻挡层和n型层内电子注入层组成。
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