[发明专利]一种电池用复合中间反射层以及多结多叠层硅基薄膜电池有效
申请号: | 201310544108.2 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN103579400A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 谭学仕;李廷凯;张峰;毛炳雪 | 申请(专利权)人: | 湖南共创光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/056;H01L31/076 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 421001 湖南省衡*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种电池用复合中间反射层及一种多结多叠层硅基薄膜电池。该复合中间反射层包括至少一层中间反射层,每层中间反射层的前一层和后一层均为不含氧或氮的n型掺杂层;所述中间反射层为n型掺杂的SiOx或SiNx。该复合中间反射层通过氧化或氮化比例可以灵活调整折射率以适应多结多叠层的薄膜太阳能电池中不同膜层对不同波段的选择性反射需求。所需材料均为硅基薄膜主流材料,所用制备工艺均与大规模产业化制造的工艺兼容;采用这种复合中间反射层的多结多叠层薄膜电池相比不采用中间反射层的结构,电池效率将能提高10%以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 复合 中间 反射层 以及 多结多叠层硅基 薄膜 | ||
【主权项】:
一种电池用复合中间反射层,其特征是,该复合中间反射层是包括至少一层中间反射层的多层膜结构,与每层中间反射层相邻的前一层和后一层均为不含氧或氮的n型掺杂层;所述中间反射层为掺杂的n型SiOx或SiNx膜层;所述n型掺杂层为n型掺杂的μc‑Si1‑xGex、n型掺杂的μc‑Si、n型掺杂的A‑Si1‑xGex、n型掺杂的A‑Si,n型掺杂的μc‑SiC、n型掺杂的A‑SiC半导体材料层中的一种或多种,其中0≤x≤1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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