[发明专利]电荷减少晶体管有效
| 申请号： | 201310544191.3 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715239A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | C·乌夫拉尔;R·西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;马永利 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电荷减少晶体管。器件和技术的代表性实施例提供一种减少电荷晶体管布置。晶体管结构的电容和／或电荷可通过最小化顶栅关于晶体管的漏的重叠来减少。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 减少 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：布置于衬底上的漂移区域层，漂移区域层包括第一区域和第二区域，衬底耦合到漏；背栅，所述背栅形成在漂移区域层的第一区域处；覆盖背栅的沟道；覆盖沟道的顶栅，所述顶栅覆盖漂移区域层的第一区域的至少一部分，而不完全覆盖漂移区域层的第二区域。
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