[发明专利]耐辐射倒置变质多结太阳能电池在审
申请号: | 201310544913.5 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN104300025A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 普拉温·帕特尔;本杰明·邱 | 申请(专利权)人: | 安科太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/0735;H01L31/0725 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于空间辐射环境的多结太阳能电池,所述多结太阳能电池具有以减小带隙的次序布置的多个太阳能子电池,所述多个太阳能子电池包含:第一太阳能子电池,其由InGaP构成且具有第一带隙,所述第一太阳能子电池具有与其相关联的第一短路电流;第二太阳能子电池,其由GaAs构成且具有小于所述第一带隙的第二带隙,所述第二太阳能子电池具有与其相关联的第二短路电流;其中在寿命开始状态中,所述第一短路电流小于所述第二短路电流使得AM0转换效率为次优的。然而,在寿命结束状态中,所述短路电流大致匹配,此产生经改进的AM0转换效率。 | ||
搜索关键词: | 辐射 倒置 变质 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种多结太阳能电池,其包括:第一太阳能子电池,其由InGaP构成,具有第一带隙及第一短路电流;第二太阳能子电池,其由GaAs构成,安置于所述第一太阳能子电池上方且具有小于所述第一带隙的第二带隙及不匹配的第二短路电流,其中所述第一短路电流比所述第二短路电流小多达8%的量;第三太阳能子电池,其由InGaAs构成,安置于所述第二太阳能子电池上方且具有小于所述第二带隙的第三带隙及与所述第二短路电流大致匹配的第三短路电流;及第四太阳能子电池,其由InGaAs构成,安置于所述第三太阳能子电池上方且具有小于所述第三带隙的第四带隙及与所述第三短路电流大致匹配的第四短路电流;其中在AM0空间环境中在所述多结太阳能电池的“寿命结束”状态下,所述子电池中的每一者的所述短路电流大致匹配;且其中与参考短路电流“大致匹配”的短路电流意指所述短路电流相对于所述参考短路电流的偏差在±4%内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安科太阳能公司,未经安科太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310544913.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:滑板的轮轴固定结构
- 下一篇:收纳式滑梯及其组成的建筑物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的