[发明专利]一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法有效

专利信息
申请号: 201310544960.X 申请日: 2013-11-05
公开(公告)号: CN103633193A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 王庆康;沈向前;王阳培华;黄堃;严兴茂 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法,利用微米尺度周期结构作为电池陷光部分,或微米尺度周期结构与绒面织构共同做为电池陷光部分。陷光结构制备在衬底材料上,薄膜电池可直接沉积在陷光衬底上,也可把陷光玻璃片覆盖在电池上,可有效提高电池的陷光能力,从而提高光子吸收,增加薄膜太阳电池光电转化效率。光电效率测试表明,本陷光技术可使双结非晶硅/微晶硅电池相对效率提高9.95%。本发明与现有薄膜电池制备技术兼容,不改变工艺参数情况下有效提高薄膜电池效率,并适合大面积量产。
搜索关键词: 一种 用于 薄膜 太阳电池 微结构 方法
【主权项】:
一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法,其特征在于:第一步,利用微米尺度周期结构作为电池陷光部分,或微米尺度周期结构与绒面织构共同做为电池陷光结构;第二步,将所述电池陷光结构制备在衬底上,然后薄膜电池直接沉积在陷光衬底上即电池沉积在陷光衬底的抛光面;或者进一步将陷光衬底覆盖在电池上,陷光结构和电池中的绒面织构共同起陷光作用,绒面织构对短波作用强,陷光衬底对长波陷光作用强,二者互补,有效提高薄膜电池的光吸收。
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