[发明专利]一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310545351.6 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103579102A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;刘栋;范仲勇;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于超大规模集成电路技术领域，具体涉及一种具有优异力学性能的超低介电常数薄膜的制备方法。本发明采用C58H118O21(Brij76)、甲基三乙氧基硅烷（MTES）、1,2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）、HCl、乙醇（EtOH）和H2O为原料，制备溶胶-凝胶溶液，然后以旋涂方法形成薄膜，并通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞结构，从而制备得低介电常数薄膜。本发明所采用的聚合物分子为Brij76，其分子量较小（为1150），从而成孔体积更小，有利于提升薄膜力学性能。所制备的薄膜材料，其低介电常数为2.2，杨氏模量为8.50GPa，硬度1.17GPa。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 优异 力学性能 介电常数 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于：以Brij76为成孔剂，以MTES和BTEE为前驱体，在水溶液中经盐酸催化发生水解与缩合反应，形成溶胶；然后经旋涂成膜，通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞结构，制备多孔低k薄膜；其中，Brij76为C58H118O21 ， MTES为甲基三乙氧基硅烷， BTEE为1,2‑二（三乙氧基硅基）乙烷，EtOH为乙醇。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310545351.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效反式氯氰菊酯和哒螨灵的悬乳剂及应用
- 下一篇：一种定时宠物喂食装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
