[发明专利]一种Fe-Co-Zr-Nb-B-Ga纳米晶磁芯的制备方法有效
申请号: | 201310546391.2 | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN103680915A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 司雪楠 | 申请(专利权)人: | 安徽省智汇电气技术有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/147;B22F9/04;B22F3/02 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种Fe-Co-Zr-Nb-B-Ga纳米晶磁芯的制备方法,其具体步骤如下:将铁基非晶薄带施加张应力真空退火制得纳米晶薄带;将制得的纳米晶薄带进行破碎,得到纳米晶金属粉末;然后将纳米晶金属粉末分成不同等份的A、B料;A料加纳米级硅溶胶、Bi2O3和三聚磷酸钠进行处理,B料用滑石粉铝酸酯偶联剂DL-411、硬脂酸锌和水玻璃进行处理;将处理后的A料、B料混合均匀,加入聚乙烯醇水溶液,压制成型,将成型后的磁芯表面涂覆SY-151磁芯胶,固化,即得成品。本发明制备出来的磁芯成品具有磁损耗值低、耐高温等优点,其综合性能优良。 | ||
搜索关键词: | 一种 fe co zr nb ga 纳米 晶磁芯 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Fe‑Co‑Zr‑Nb‑B‑Ga纳米晶磁芯的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将利用单辊快淬法制得的铁基非晶薄带在100‑150Mpa张应力作用下于500‑550℃真空退火1‑2h,然后空冷至室温,即得纳米晶薄带;其中,所述铁基非晶薄带各组分质量百分比为:Fe 60‑65%、Co 15‑20%、Zr 3‑4%、Nb 3‑4%、B 8‑12%、Ga 1‑1.5%,其带宽为5‑10mm,带厚为15‑20μm;(2)将制得的纳米晶薄带进行破碎,得到纳米晶金属粉末,然后将纳米晶金属粉末按重量比60‑70%、30‑40%分成A、B料;(3)取A料加入3‑5%的纳米级硅溶胶、1‑2%的Bi2O3和2‑3%的三聚磷酸钠,2000‑3000rpm高速搅拌10‑15min,烘干,粉碎研细成粉末,过300‑400目筛,待用; (4)取相当于B料重量2‑3%的滑石粉溶于3‑5倍液体石蜡中,再加入0.3‑0.5%的铝酸酯偶联剂DL‑411、0.5‑1%的硬脂酸锌和2‑3%的水玻璃,1500‑2000rpm高速研磨20‑30min,然后将溶液均匀地喷洒在B料表面,烘干,过150‑200目筛,待用;(5)将经上述步骤(3)和步骤(4)处理后A料、B料混合均匀,加入2‑4%的浓度为15‑20%的聚乙烯醇水溶液,搅拌均匀,采用1.6‑2.0 GPa的压制压力压制成磁芯;(6)将成型的磁芯在以氮气和氢气为保护气氛,升温速率为120‑130℃/min下进行退火热处理,升温至450‑550℃,保温0.5‑1h;(7)用SY‑151磁芯胶均匀的涂覆在磁芯的表面,厚度控制在1‑2mm,然后放置在120‑130℃烘箱中固化15‑20min,即得成品。
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