[发明专利]基于铁电薄膜的太赫兹调制器及其制作方法在审
| 申请号： | 201310547214.6 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104635358A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 张晓渝;张力力;李欣幸;吕利;秦华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于铁电薄膜的太赫兹调制器及其制作方法。所述太赫兹调制器包括：介质基板，其对太赫兹波具有较高的透过率；多个铁电薄膜单元，阵列排布在所述介质基板上；太赫兹滤波结构，设置在所述介质基板和所述多个铁电薄膜单元上，并且所述太赫兹滤波结构对太赫兹波具有带通滤波效应。本发明充分结合了铁电薄膜的介电常数可高速调制和高Q因子的太赫兹滤波结构的优点，在太赫兹滤波结构工作频率下对太赫兹波的幅值进行高速电调制，具有调制速度高和调制深度大等特点，可以弥补现有高速太赫兹调制器性能的不足，且该太赫兹调制器装置操作简单，成本较低，易于集成，在太赫兹通讯和成像等应用方面具有较大的科学研究价值和市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 薄膜 赫兹 调制器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于铁电薄膜的太赫兹调制器，其特征在于，所述太赫兹调制器包括：介质基板，其对太赫兹波具有较高的透过率；多个铁电薄膜单元，阵列排布在所述介质基板上；太赫兹滤波结构，设置在所述介质基板和所述多个铁电薄膜单元上，并且所述太赫兹滤波结构对太赫兹波具有带通滤波效应。
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