[发明专利]纳米结构碲单晶的制备方法无效
| 申请号： | 201310547345.4 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103710746A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 程国胜;张杰;孔涛;黄荣;卫芬芬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米结构碲单晶的制备方法，包括如下步骤:在化学气相沉积设备的反应区内设置蒸发源，并在蒸发源下风向处设置洁净基片，再充分排除化学气相沉积设备内的空气，而后充入载气，且将化学气相沉积设备内的气压维持于设定气压值；其后，将所述反应区温度提升至第一设定温度，保温设定时间，而将所述基片温度维持于第二设定温度，且在反应过程中，按设定流速持续通入载气；反应结束后，继续通入载气，使化学气相沉积设备自然降温，获得具有纳米结构的碲单晶。本发明采用化学气相沉积法制备了纳米结构碲单晶，工艺简单可控，成本低廉，且所获产品品质高，形态可控。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 碲单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:在化学气相沉积设备的反应区内设置蒸发源，并在蒸发源下风向处设置洁净基片，再充分排除化学气相沉积设备内的空气，而后充入载气，且将化学气相沉积设备内的气压维持于设定气压值；其后，将所述反应区温度提升至第一设定温度，保温设定时间，而将所述基片温度维持于第二设定温度，且在反应过程中，按设定流速持续通入载气；反应结束后，继续通入载气，使化学气相沉积设备自然降温，获得具有纳米结构的碲单晶。
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