[发明专利]一种半导体感光器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体感光器件及其制造方法。本发明半导体感光器件，包括在半导体衬底内形成的一个MOS晶体管、一个感光pn结二极管和一个钉扎二极管，通过一个浮栅开口MOS晶体管的浮栅与感光pn结二极管的一端连接并与钉扎二极管的一端连接，MOS晶体管的环形的漏区包围感光pn结二极管和钉扎二极管、且与感光pn结二极管的另一端连接并与钉扎二极管的另一端连接。钉扎二极管可以把感光pn结二极管的光吸收区域推进到半导体衬底内部，远离受干扰的表面。采用本发明的半导体感光器件制造的图像传感器芯片具有单元面积小、芯片密度高、灵敏度高、分辨率高等优点。

主权项

 一种半导体感光器件，其特征在于，包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的一个MOS晶体管和一个感光pn结二极管；所述MOS晶体管包括在所述半导体衬底内形成的具有第二种掺杂类型的一个源区和一个环形的漏区、介于所述源区与所述漏区之间的半导体衬底部分形成器件的沟道区、在所述沟道区以及所述漏区和所述pn结二极管之上形成的第一层栅介质层，在所述第一层栅介质层之上形成的一个具有第一种掺杂类型的浮栅、在所述浮栅之上形成的的一个控制栅，所述控制栅与所述浮栅由第二层栅介质层隔离；所述MOS晶体管的漏区包围所述感光pn结二极管，所述感光pn结二极管一端的掺杂极性和所述漏区的掺杂极性相同并与之相连，所述感光pn结二极管另一端的掺杂极性和所述浮栅的掺杂极性相同并通过一个浮栅开口与之相连。