[发明专利]运算放大器在审
申请号: | 201310548747.6 | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN104639071A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 朱红卫;赵郁炜 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03F3/26 | 分类号: | H03F3/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种运算放大器,包括两级放大电路和偏置电路,第一级的折叠式共源共栅放大电路能为电路提供90dB以上的高增益,第二级的推挽输出电路具有良好的驱动能力,放大电路的偏置电压由采用了带隙基准电路的偏置电路提供,能使电路的偏置电压非常稳定,高增益和偏置稳定的特性能使本发明电路应用于高精度的闭环反馈系统中。 | ||
搜索关键词: | 运算放大器 | ||
【主权项】:
一种运算放大器,其特征在于,包括两级放大电路和偏置电路;所述两级放大电路的第一级为折叠式共源共栅放大电路,第二级为推挽输出电路;所述折叠式共源共栅放大电路包括差分输入电路和共栅放大电路;所述差分输入电路包括第一PMOS管和第二PMOS管组成的差分对管,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极连接在一起,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极为差分电压输入信号的输入端,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极分别输出两路差分电流信号;所述共栅放大电路包括第一NMOS管和第二NMOS管,由所述第一PMOS管和所述第一NMOS管组成第一折叠式共源共栅结构支路,由所述第二PMOS管和所述第二NMOS管组成第二折叠式共源共栅结构支路;所述第一NMOS管的源极和所述第一PMOS管的漏极相连接,所述第二NMOS管的源极和所述第二PMOS管的漏极相连接,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极都连接到偏置电压一,所述第一NMOS管的源极接收由所述第一PMOS管的漏极输出的所述差分电流信号,所述第二NMOS管的源极接收由所述第二PMOS管的漏极输出的所述差分电流信号;所述第一NMOS管的漏极连接第三PMOS管的漏极,所述第三PMOS管的源极连接第四PMOS管的漏极,所述第四PMOS管的源极连接正电源;第五PMOS管的源极连接第六PMOS管的漏极,所述第六PMOS管的源极连接正电源;所述第三PMOS管和所述第五PMOS管的栅极都连接第二偏置电压,所述第四PMOS管和所述第六PMOS管的栅极都连接所述第一NMOS管的漏极;所述第二NMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极作为两个输出端连接到所述推挽输出电路;所述推挽输出电路包括:第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管,所述第三NMOS管的源极、所述第七PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极都连接所述第二NMOS管的漏极,所述第三NMOS管的漏极、所述第七PMOS管的源极和所述第八PMOS管的栅极都连接所述第五PMOS管的漏极;所述第四NMOS管的源极接地或负电源,所述第八PMOS管的源极接正电源,所述第四NMOS管和所述第八PMOS管的漏极连接在一起并作为输出端输出放大的电压输出信号;所述第三NMOS管的栅极连接第三偏置电压,所述第七PMOS管的栅极连接第四偏置电压;所述偏置电路用于为所述两级放大电路提供偏置电压,偏置电压包括所述第一偏置电压、所述第二偏置电压、所述第三偏置电压和所述第四偏置电压。
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