[发明专利]一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310548758.4 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104638068B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;朱广敏;袁根如;邢志刚;李振毅;齐胜利;刘文弟 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）通过光刻工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。本发明先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1‑xN层，作为发光外延结构生长的缓冲层，然后通过光刻胶的加热回流工艺和ICP刻蚀工艺制备出周期性排列的包状的SiO2凸起，本发明既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。本发明工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 发光外延结构 缓冲层 凸起 衬底结构 族氮化物 制备 六角晶格结构 发光二极管 缓冲层表面 周期性排列 衬底表面 出光效率 工艺制备 光刻工艺 间隔排列 制造成本 材料层 光刻胶 包状 衬底 刻蚀 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2)于所述缓冲层表面形成SiO2层，其中，所述的SiO2层的厚度为1～3μm；3)通过光刻工艺以及感应耦合等离子体刻蚀法将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且露出各该SiO2凸起之间的缓冲层，步骤3)包括以下步骤：3‑1)于所述SiO2层表面形成光刻胶层，通过曝光工艺将所述光刻胶层制作成间隔排列的多个光刻胶块；3‑2)通过加热回流工艺使所述多个光刻胶块回流成多个包状的光刻胶块；3‑3)采用感应耦合等离子体刻蚀法将各该包状的光刻胶块的形状转移至所述SiO2层，形成多个SiO2包状凸起，且露出各该SiO2包状凸起之间的缓冲层，用于后续发光外延结构的生长。
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