[发明专利]一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法在审
| 申请号： | 201310549164.5 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103560182A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 韦胜国 | 申请（专利权）人： | 韦胜国 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 陈月福 |
| 地址： | 541001 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，包括如下步骤，采用金属有机物化学气相沉积方法，在图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发后制备成LED芯片；LED芯片再通过刺晶、引线、灌胶、烘烤，被封装成LED管座；向LED管座注入荧光粉封，装成GaN基低色温高显色白光LED。本发明制备方法，操作简单，成本低廉，所得GaN基低色温高显色白光LED可以满足对色温和演色性要求较高的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 色温 显色 白光 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用金属有机物化学气相沉积方法，在图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发后制备成LED芯片；LED芯片再通过刺晶、引线、灌胶、烘烤，被封装成LED管座；向LED管座注入荧光粉封，装成GaN基低色温高显色白光LED。
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