[发明专利]二氧化碳还原方法有效

专利信息
申请号: 201310549359.X 申请日: 2014-01-10
公开(公告)号: CN103668313A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 童华东 申请(专利权)人: 东莞市广海大橡塑科技有限公司
主分类号: C25B5/00 分类号: C25B5/00;C25B1/02;C25B11/06
代理公司: 东莞市中正知识产权事务所 44231 代理人: 刘林
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种二氧化碳还原方法,将阴极池、阳极池、隔膜、阴极电极及阳极电极按照原电池的形式设置,所述隔膜设置于所述阴极池及阳极池之间,置于阳光下或用人工光源进行照明;所述阳极电极一侧包括将重量分数比为25%~45%的AlxGa1-xN(0.1≤x≤0.25)及InP形成的复合半导体,另一侧为将重量分数比为60%~95%的GaN与InP复合半导体材料制成的复合半导体,上述两个侧面的厚度比为1~1.5:1;所述阴极池内部装有与阴极电极接触的第一电解液,所述阳极池内部装有与阳极电极接触的第二电解液,所述第一电解液中溶解有二氧化碳;所述第一电解液中的二氧化碳在阴极电极上进行还原反应。
搜索关键词: 二氧化碳 还原 方法
【主权项】:
一种二氧化碳还原方法,将阴极池、阳极池、隔膜、阴极电极及阳极电极按照原电池的形式设置,所述隔膜设置于所述阴极池及阳极池之间,置于阳光下或用人工光源进行照明;所述阳极电极一侧包括将重量分数比为25%~45%的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤0.25)及InP形成的复合半导体,另一侧为将重量分数比为60%~95%的GaN与InP复合半导体材料制成的复合半导体,上述两个侧面的厚度比为1~1.5:1;所述阴极池内部装有与阴极电极接触的第一电解液,所述阳极池内部装有与阳极电极接触的第二电解液,所述第一电解液中溶解有二氧化碳;所述阴极电极与所述阳极电极电连接,所述阳极电极上照射有波长在310~315nmnm的光,所述第一电解液中的二氧化碳在阴极电极上进行还原反应。
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