[发明专利]P-型背钝化太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种P-型背钝化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：（1）在P-型硅片上表面制绒及扩散；（2）对扩散后的P-型硅片的背面进行刻蚀处理；（3）刻蚀处理后的P-型硅片的背面镀膜形成钝化层；（4）P-型硅片的正面镀膜形成抗反射层；（5）背面钝化层上通过激光进行开孔；（6）对激光开孔处理后的P-型硅片进行热处理；（7）印刷电极并将电极烧结在P-型硅片，得到P-型背钝化太阳能电池。本发明节省了高成本的湿法去损伤步奏，并且可以同时在正面抗反射薄膜上形成氮化硅，利用多层薄膜的特性来降低反射率，光转化效率高。

主权项

 P‑型背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是，所述制备方法包括以下步骤：（1）在P‑型硅片上表面制绒及扩散；（2）对扩散后的P‑型硅片的背面进行刻蚀处理；（3）刻蚀处理后的P‑型硅片的背面镀膜形成钝化层；（4）P‑型硅片的正面镀膜形成抗反射层；（5）背面钝化层上通过激光进行开孔；（6）对激光开孔处理后的P‑型硅片进行热处理，激发正面抗反射薄膜和背面钝化层的钝化效果，降低正面反射率，同时修复激光开孔造成的损伤；（7）热处理后的P‑型硅片上印刷电极，将电极烧结在P‑型硅片，得到P‑型背钝化太阳能电池。