[发明专利]一种改进型传感器在审
申请号: | 201310551152.6 | 申请日: | 2013-11-10 |
公开(公告)号: | CN104635226A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 崔广羽 | 申请(专利权)人: | 西安北斗星数码信息股份有限公司 |
主分类号: | G01S7/521 | 分类号: | G01S7/521 |
代理公司: | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人: | 第五思军 |
地址: | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种改进型传感器,包括:一金属壳体,一设置金属壳体上的底座,以及一与底座紧贴的屏蔽材料层,一引线端,所述引线端贯穿所述屏蔽材料层以及底座,设置于所述金属壳体上;一设置金属壳体上方的声匹配层,所述声匹配层外表面设置一超声波辐射层,声匹配层内表面设置一压电陶瓷层,引线端包括一正极端和一负极端,分别连接所述声匹配层和所述压电陶瓷层。使用垂直厚度振动模式的压电陶瓷,且在压电陶瓷一侧分别设置有一声波辐射面,以及声匹配层;且声波辐射面表面设置一凹槽状,这种结构可以使超声波传感器在高达数百kHz频率的情况下,仍然能够正常工作。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进型 传感器 | ||
【主权项】:
一种改进型传感器,其特征在于,包括:一金属壳体,一设置金属壳体上的底座,以及一与底座紧贴的屏蔽材料层,一引线端,所述引线端贯穿所述屏蔽材料层以及底座,设置于所述金属壳体上;一设置金属壳体上方的声匹配层,所述声匹配层外表面设置一超声波辐射层,声匹配层内表面设置一压电陶瓷层,引线端包括一正极端和一负极端,分别连接所述声匹配层和所述压电陶瓷层。
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