[发明专利]硅片的临时键合和解离工艺方法在审
| 申请号： | 201310552590.4 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104637824A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的临时键合和解离工艺方法，包括步骤如下：(1)提供一第一载片；(2)提供一第二载片，并在第二载片的第一表面涂布第一粘结剂，和/或在第一载片的键合面涂布第一粘结剂，并对其烘烤；(3)将第一载片和第二载片进行临时键合；(4)将第一载片和第二载片进行解离，清洗去除第一粘结剂；(5)在第二载片的第二表面涂布第二粘结剂，和/或在一硅片的键合面涂布第二粘结剂，并对其烘烤；(6)将第二载片和硅片进行临时键合；(7)将硅片的非键合面减薄，并在非键合面进行所需工艺；(8)将第二载片和减薄后的硅片进行解离，清洗去除第二粘结剂。该工艺方法解决了传统临时键合和解离工艺中载片和硅片的翘曲问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 临时 解离 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的临时键合和解离工艺方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)提供一第一载片；(2)提供一第二载片，并在第二载片的第一表面涂布第一粘结剂，和/或在第一载片的键合面涂布第一粘结剂，并对其烘烤；(3)将第一载片和第二载片进行临时键合，形成翘曲的第二载片；(4)将第一载片和第二载片进行解离，清洗去除第一粘结剂；(5)在翘曲的第二载片的第二表面涂布第二粘结剂，和/或在一硅片的键合面涂布第二粘结剂，并对其烘烤；(6)将翘曲的第二载片和硅片进行临时键合，翘曲的第二载片恢复平整状态；(7)将硅片的非键合面减薄，并在非键合面进行所需工艺；(8)将第二载片和减薄后的硅片进行解离，清洗去除第二粘结剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
