[发明专利]处理多晶硅还原尾气的方法和系统有效
| 申请号： | 201310552923.3 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103551007A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 司文学;汪绍芬;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮 | 申请（专利权）人： | 中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/00 | 分类号： | B01D53/00;B01D53/18;B01D53/14;B01D53/02;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100038*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法和系统，该方法包括：（1）利用淋洗设备对多晶硅还原尾气进行淋洗，以便获得经过淋洗的还原尾气和氯硅烷；（2）将经过淋洗的还原尾气进行压缩冷却处理，以便获得氯硅烷和压缩后气；（3）将压缩后气与吸附剂接触，以便从压缩后气中分离氢气和吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂；（4）将吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂进行脱吸处理，以便获得脱附再生气，其中，脱附再生气包含氯化氢和氯硅烷。根据本发明实施例的处理多晶硅还原尾气的方法流程简单、操作稳定、能耗低，进而能够显著降低投资和运行成本。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 多晶 还原 尾气 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种淋洗设备，其特征在于，包括：壳体，所述壳体具有位于该壳体下部的进气口、位于该壳体顶部的出气口、位于该壳体上部的进液口、位于该壳体底部的出液口和位于该壳体下部且高于所述进气口的冷凝液出口；筛板，所述筛板设在所述壳体内且位于所述进液口与所述冷凝液出口之间；液体分布器，所述液体分布器设在所述壳体内且与所述进液口相连；以及气体分布器，所述气体分布器设在所述壳体内且与所述进气口相连。
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