[发明专利]刻蚀剂组合物、阵列基板以及制造阵列基板的方法在审

专利信息
申请号: 201310552933.7 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN103806000A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 崔容硕;权五柄;金童基 申请(专利权)人: 东友FINE-CHEM股份有限公司
主分类号: C23F1/30 分类号: C23F1/30;H01L21/77;H01L21/28
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 张颖玲;胡春光
地址: 韩国全*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及刻蚀剂组合物,阵列基板以及制造阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于Cu-基金属膜,基于该组合物的总重量,所述刻蚀剂组合物包括A)过氧化氢(H2O2)、B)pH调节剂以及C)水。当利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀由Cu-基金属膜组成的单层形式或多层形式的金属层时,能够经由分批刻蚀形成图案,经刻蚀的Cu-基金属膜不发生界面变形,并且能够得到具有良好线性的锥形轮廓。
搜索关键词: 刻蚀 组合 阵列 以及 制造 方法
【主权项】:
一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法,所述方法包括:a)在基板上形成栅极布线;b)在具有所述栅极布线的所述基板上形成栅极绝缘层;c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层;d)在所述半导体层上形成源极和漏极;以及e)形成与所述漏极连接的像素电极,其中,在a)中的形成所述栅极布线包括在所述基板上形成Cu‑基金属膜以及利用刻蚀剂组合物刻蚀所述Cu‑基金属膜,在d)中的形成所述源极和所述漏极包括在所述半导体层上形成Cu‑基金属膜以及利用所述刻蚀剂组合物刻蚀所述Cu‑基金属膜,以及所述刻蚀剂组合物为用于Cu‑基金属膜的刻蚀剂组合物,基于所述组合物的总重量,所述刻蚀剂组合物包括A)H2O2、B)pH调节剂以及C)水,并且所述刻蚀剂组合物的pH为1.6~3。
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