[发明专利]三维半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310552973.1 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104241523B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金锡基 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种3D半导体器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成包括公共源极节点的第一半导体层；在第一半导体层上形成晶体管区，其中，晶体管区包括与半导体衬底的表面大体平行的水平沟道区、和从水平沟道区向与半导体衬底的表面大体垂直的方向分支出的源极区和漏极区；处理第一半导体层以对应于源极区而定位公共源极节点；在源极区与漏极区之间的空间中形成栅极；在源极区和漏极区上形成加热电极；以及在暴露出的加热电极上形成电阻可变材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 源极区 半导体层 漏极区 衬底 半导体 公共源极节点 加热电极 晶体管区 水平沟道 电阻可变材料层 三维半导体器件 半导体器件 方向分支 垂直的 平行 制造 暴露 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成包括公共源极节点的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成晶体管区，其中，所述晶体管区包括与所述半导体衬底的表面大体平行的水平沟道区、和从所述水平沟道区向与所述半导体衬底的表面大体垂直的方向分支出的源极区和漏极区；处理所述第一半导体层以对应于所述源极区而定位所述公共源极节点；在所述源极区与所述漏极区之间的空间中形成栅极；在所述源极区和所述漏极区上形成加热电极；以及在所述加热电极上形成电阻可变材料层。
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