[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种有机薄膜晶体管，包括基片、源/漏电极、门电极，以及位于源/漏电极和门电极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述半导体层材料为结构通式如下式（Ⅰ）或（Ⅱ）所示有机稠环芳烃衍生物，其中：Ar₁-Ar₆独立选自H、C6～C30的取代或非取代的芳烃基团、C6～C30的取代或非取代的稠环芳烃基团、C6～C30的取代或非取代的稠杂环基团、五元、六元的杂环或取代杂环、三芳胺基基团、二苯胺基基团、芳醚团基基团、C1～C20的取代或非取代的脂肪族烷基基团中的一种；X选自第Ⅴ主族或第Ⅵ主族的元素；且Ar₁-Ar₆不同时为H。本发明采用新型的有机场致效应半导体材料，同时利用本材料制备了有机薄膜晶体管，特别的，在有机柔性显示器以及其他要求柔性的器件中可以有很好的应用。

主权项

一种有机薄膜晶体管，包括基片、源/漏电极、门电极，以及位于源/漏电极和门电极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述半导体层材料为结构通式如下式（Ⅰ）或（Ⅱ）所示有机稠环芳烃衍生物， 其中：Ar₁‑Ar₆独立选自H、C6～C30的取代或非取代的芳烃基团、C6～C30的取代或非取代的稠环芳烃基团、C6～C30的取代或非取代的稠杂环基团、五元、六元的杂环或取代杂环、三芳胺基基团、二苯胺基基团、芳醚团基基团、C1～C20的取代或非取代的的脂肪族烷基基团中的一种； X选自第Ⅴ主族或第Ⅵ主族的元素； 且Ar₁‑Ar₆不同时为H。