[发明专利]制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法有效
| 申请号： | 201310553763.4 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103579461A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李璟;杨华;薛斌;王国宏;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62;G09F9/33 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 晶圆级 全彩 led 显示 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法，其特征在于，包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。
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