[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310554908.2 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104637889A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡崇宣;谢爵安;叶名世;杨国玺 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、封装体、重布层及屏蔽层。芯片具有主动面。封装体包覆芯片。重布层包括介电层及导电层。介电层形成于封装体与芯片的主动面上并露出主动面的一部分。导电层形成于介电层上并电性连接于露出的主动面，其中导电层是作为阻抗匹配层。屏蔽层覆盖封装体的外表面并电性连接于导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，其特征在于，包括： 一芯片，具有一主动面； 一封装体，包覆该芯片； 一重布层，包括： 一第一介电层，形成于该封装体与该芯片的该主动面上并露出该主动面的一部分； 一第一导电层，形成于该第一介电层上并电性连接于露出的该主动面，其中该第一导电层是作为阻抗匹配层；及 一第二介电层，形成于该第一导电层上并露出该第一导电层的一部分;以及 一屏蔽层，覆盖该封装体的外表面并电性连接于该第一导电层。
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