[发明专利]一种纳米压印方法无效
| 申请号： | 201310555036.1 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103543604A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王晶 | 申请（专利权）人： | 无锡英普林纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 成立珍 |
| 地址： | 214192 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米压印方法，包括如下步骤：在模板上旋涂一层光刻胶，利用电子束光刻在光刻胶上形成图形并转移到模板上；将基底清洗后用氮气吹干；采用匀胶机旋涂光刻胶并进行前烘；将装有模板和基底的压印机放入烘箱内加热，150℃～200℃烘10分钟，取出后冷却至室温，取出模板和基底；放入纳米压印机中，当模板和基底光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，2分钟后，移去模板；采用反应离子刻蚀残留层和进行图案转移。本发明提供的纳米压印方法操作步骤简单，使用方便、灵活，具有环保高效等优点，有利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 压印 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米压印方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在模板上旋涂一层光刻胶，利用电子束光刻在光刻胶上形成图形并转移到模板上；（2）将基底放入1：1：4的NH4OH:H2O2:H2O溶液中清洗10分钟，取出基底在去离子水中冲洗10分钟，置于HF:H2O=1:40的溶液中漂洗30秒，用氮气吹干；（3）采用匀胶机旋涂光刻胶并进行前烘，前烘条件为烘箱内100℃烘40～60分钟；（4）将装有模板和基底的压印机放入烘箱内加热，150℃～200℃烘10分钟，取出后冷却至室温，取出模板和基底；（5）放入纳米压印机中，当模板和基底光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，2分钟后，移去模板；（6）采用反应离子刻蚀残留层和进行图案转移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡英普林纳米科技有限公司，未经无锡英普林纳米科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310555036.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
