[发明专利]具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法有效
申请号: | 201310555172.0 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN103594593A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 张翠 | 申请(专利权)人: | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 黄明哲 |
地址: | 213300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法,包括:提供生长衬底,在其上顺序形成n型半导体层(6)、有源层(5)、p型半导体层(4)以及p型反射电极(2);形成台阶结构;形成透明绝缘层(3);形成透明电极层(7);形成通槽(8),且通槽(8)具有内侧壁(8b)和外侧壁(8a);在通槽(8)中填充用于透明电极层(7)的透明导电材料;对倒装发光二极管进行切割,从而在整个倒装发光二极管的四个侧面以及顶面上都形成了透明电极层(7);粗化透明电极层(7)的表面,从而在透明电极层(7)的整个表面上形成粗化结构(9)。本发明提出的方法制得的具有透明电极的发光二极管能提高集成度、简化工艺,无需引线结构,从而降低制造成本,且可提高光取出效率,从而提升整体发光效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 透明 电极 倒装 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法,包括:(1)提供生长衬底,在其上顺序形成n型半导体层(6)、有源层(5)、p型半导体层(4)以及p型反射电极(2);(2)对部分p型半导体层(4)以及p型反射电极(2)进行蚀刻以露出部分有源层(5),从而形成台阶结构;(3)将透明绝缘材料填充进台阶结构,从而形成透明绝缘层(3);(4)将所得结构倒置,将其设置在承载基板(1)上,并剥离生长衬底,从而露出n型半导体层(6);(5)在露出的n型半导体层(6)上形成透明电极层(7);(6)形成通槽(8),其穿透透明电极层(7)、n型半导体层(6)、有源层(5)、透明绝缘层(3),且通槽(8)具有内侧壁(8b)和外侧壁(8a);(7)在通槽(8)中填充用于透明电极层(7)的透明导电材料;(8)利用外侧壁(8a)作为切割边界,对倒装发光二极管进行切割,从而去除部分透明电极层(7)、n型半导体层(6)、有源层(5)、透明绝缘层(3),从而在整个倒装发光二极管的四个侧面以及顶面上都形成了透明电极层(7);(9)粗化透明电极层(7)的表面,从而在透明电极层(7)的整个表面上形成粗化结构(9)。
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