[发明专利]一种串行存储器芯片容量扩充结构有效
| 申请号： | 201310556196.8 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103594106A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王楠;张爱东;童红亮 | 申请（专利权）人： | 无锡普雅半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214102 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路中的串行存储器领域，具体为一种串行存储器芯片容量扩充结构，其结构简单，开发周期缩短，方便地实现扩充存储器芯片的容量，成本低，其包括至少两片相同容量的晶片，每片晶片的电源VCC和地VSS分别通过总线连接实现并联，每片晶片的其他端口分别通过总线对应连接实现并联。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 串行 存储器 芯片 容量 扩充 结构 | ||
【主权项】：
一种串行存储器芯片容量扩充结构，其特征在于，其包括至少两片相同容量的晶片，每片所述晶片的电源VCC和地VSS分别通过总线连接实现并联，每片所述晶片的其他端口分别通过总线对应连接实现并联。
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