[发明专利]一种分裂栅型功率MOS器件有效
| 申请号： | 201310556342.7 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103579306B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王颖;胡海帆;曹菲;刘云涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分裂栅型功率MOS器件，特别设计器件元胞中有源区中包含P柱。该版图中P柱位于每个独立台面结构中心，且为与台面边界平行的六边形柱体，被有源区中深沟槽包围。在不增加工艺难度的基础上，保证器件的击穿电压，改善器件导通电阻，提高器件的工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种分裂栅型功率金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于：所述器件的元胞中的有源区台面中包含P柱结构，所述P柱结构位于所述台面中心；所述P柱结构为与所述台面的边界平行的六边形柱体，且被有源区中深沟槽包围；所述P柱结构的深度同所述深沟槽的深度相同，在所述有源区中，所述深沟槽结构、台面结构和P柱结构之间保持电荷量平衡；所述P柱结构的深度为7.4μm，P柱宽1.4μm，漂移区厚度7.1μm，N型杂质浓度为3.7×1016/cm3，P柱内杂质浓度为6.3×1016/cm3，沟道区厚度为0.5μm，P型杂质浓度为1.0×1017/cm3；N+源区为0.3μm，杂质浓度为1.0×1020/cm3；其中厚氧厚度为0.8μm，栅氧厚度为元胞间距为5.6μm，台面宽度W/2为1.4μm。
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