[发明专利]芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔及其制备方法无效
| 申请号： | 201310556855.8 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103708405A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 姜校顺;李冠宇;杨超;刘沛;肖敏 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张学彪 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘和硅柱，氧化硅微盘通过硅柱支撑在基片上，氧化硅微盘的侧面为斜面，斜面与氧化硅微盘底面的夹角为45º~90º。本发明的芯片上的氧化硅微盘谐振腔侧壁倾角大，易于实现耦合。本发明还公开了芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔的制备方法，利用本方法制备出的片上氧化硅微盘谐振腔品质因子高，且侧壁倾角大，易于实现耦合；制备流程与传统的集成电路工艺相兼容，具有操作简单、可重复性强和易于集成等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 倾角 氧化 硅微盘 谐振腔 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘（1）和硅柱（3），所述氧化硅微盘（1）通过所述硅柱（3）支撑在基片上，所述氧化硅微盘（1）的侧面为斜面（2），其特征在于，所述斜面（2）与所述氧化硅微盘（1）底面的夹角为45º~90º。
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