[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种可变电阻存储器件及其制造方法。所述可变电阻存储器件可以包括：多层绝缘层，形成在半导体衬底上，在半导体衬底上形成有下电极。多层绝缘层可以包括同心地形成在其中的第一孔和第二孔以暴露出下电极，其中，第一孔的直径比第二孔的直径大。可变电阻材料层可以形成在第二孔中以接触下电极，并且上电极可以形成在第一孔中以接触可变电阻材料层。

主权项

1.一种可变电阻存储器件，包括：多层绝缘层，所述多层绝缘层形成在半导体衬底上，在所述半导体衬底上形成有下电极，所述多层绝缘层包括同心地形成在其中的第一孔和第二孔以暴露出所述下电极，其中，所述第一孔的直径比所述第二孔的直径大；可变电阻材料层，所述可变电阻材料层形成在所述第二孔中以接触所述下电极；以及上电极，所述上电极形成在所述第一孔中以接触所述可变电阻材料层，其中，所述多层绝缘层包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述半导体衬底上，所述第一绝缘层包括第一材料；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上，并且包括具有刻蚀选择性与所述第一材料的刻蚀选择性不同的第二材料；其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层交替地层叠以形成多个层，其中，所述可变电阻存储器件还包括：氧化物层，所述氧化物层形成在所述第一孔和所述第二孔的内侧壁上；以及间隔件，所述间隔件形成在所述第二孔中，所述间隔件具有与所述第二孔的高度大体相同的高度。