[发明专利]一种穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310557215.9 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103560124A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王磊;李恒甫 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种穿硅通孔（TSV）结构在保证TSV可靠性和绝缘完整性的同时，简化了工艺流程，降低了制造成本，其包括TSV孔，所述TSV孔设置在硅衬底上，其特征在于：所述TSV孔内依次设置有多层绝缘层、扩散阻挡层、种子层和导电金属层，本发明还提供了一种穿硅通孔（TSV）结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 穿硅通孔 tsv 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种穿硅通孔（TSV）结构，其包括TSV孔，所述TSV孔设置在硅衬底上，其特征在于：所述TSV孔内依次设置有多层绝缘层、扩散阻挡层、种子层和导电金属层。
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