[发明专利]非易失性半导体存储器的检查方法及存储检查程序的记录介质有效
| 申请号： | 201310557298.1 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104064217B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 桥本大辅 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C29/42;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 陈海红,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施例，用于检查包含具备多个块的第1区域和第2区域的非易失性半导体存储器的检查方法，对上述第1区域所包含的每块执行包含第1至第6处理的第1检查处理。上述第1处理进行块删除，上述第2处理在上述第1处理之后，对进行了上述块删除的第1块进行数据写入，上述第3处理在上述第2处理之后，进行从上述第1块内的第2页面以外的多个第1页面读出数据的第1读出，上述第4处理在上述第3处理之后，进行从上述第2页面读出数据的第2读出，上述第5处理在上述第3处理中发生读出错误时，在上述第2区域记录表示发生了第1读出错误的事件，上述第6处理在上述第4处理中发生读出错误时，在上述第2区域记录表示发生了第2读出错误的事件。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 检查 方法 存储 程序 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种存储非易失性半导体存储器的检查程序的记录介质，其特征在于，上述非易失性半导体存储器按页面单位进行数据的写入，按上述页面单位的二以上的自然数倍的块单位进行数据的删除，包含具备多个块的第1区域和第2区域，上述程序构成为使用于控制上述非易失性半导体存储器的控制器执行第1检查处理，上述第1检查处理对上述第1区域所包含的每个块执行第1至第6处理，上述第1处理进行块删除，上述第2处理在上述第1处理之后，对进行了上述块删除的第1块进行数据写入，上述第3处理在上述第2处理之后，进行从上述第1块内的第2页面以外的多个第1页面读出数据的第1读出，上述第4处理在上述第3处理之后，进行从上述第2页面读出数据的第2读出，上述第5处理在上述第3处理中发生读出错误时，在上述第2区域记录表示发生了第1读出错误的事件，上述第6处理在上述第4处理中发生读出错误时，在上述第2区域记录表示发生了第2读出错误的事件。
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