[发明专利]一种半导体电容器的制造方法有效
| 申请号： | 201310557608.X | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103606513A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张翠 | 申请（专利权）人： | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体电容器的制造方法，包括提供衬底，在衬底上形成金属层-氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层-金属层（MONOM）的堆栈结构，以形成半导体电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体电容器的制造方法，其特征在于：提供衬底，在衬底上形成金属层‑氧化硅层‑氮化硅层‑氧化硅层‑金属层（MONOM）的堆栈结构，以形成半导体电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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