[发明专利]一种太阳能电池栅线电极的制备方法有效
申请号: | 201310558360.9 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN104638053A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 林朝晖;王树林 | 申请(专利权)人: | 泉州市博泰半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 362000 福建省泉州市鲤城区高*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种太阳能电池栅线电极的制备方法,所述方法包括以下步骤:在硅基片两面分别贴覆一层感光干膜;确定出干膜下硅基片的具体位置,在干膜上装上掩模板,该掩膜板上具有所需的栅线网格图形;根据确定的硅基片位置使所述掩模板与硅基片完全重合;对硅基片上的干膜进行曝光,将掩模版的栅格图形转移到干膜表面;对曝光过后的硅基片进行显影,使硅基片表面形成栅线网格图形;在硅基片表面的栅线网格图形上电镀上导电材料,形成太阳能电池的栅线电极。本发明的有益效果在于:本发明不需要剪除电池硅基片周边多余干膜从而避免了对硅基片的破坏,方法简单,定位准确,提高了生产良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池栅线电极的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:在硅基片两面分别贴覆一层感光干膜;确定出干膜下硅基片的具体位置,在干膜上装上掩模板,该掩膜板上具有所需的栅线网格图形;根据确定的硅基片位置使所述掩模板与硅基片完全重合;对硅基片上的干膜进行曝光,将掩模板的栅格图形转移到干膜表面;对曝光过后的硅基片进行显影,使硅基片表面形成栅线网格图形;在硅基片表面的栅线网格图形上电镀上导电材料,形成太阳能电池的栅线电极。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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