[发明专利]交流高压陶瓷电容器用低损耗介质材料及制备方法无效
申请号: | 201310559584.1 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN103613380A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 张启龙;王敏嘉;杨辉;赵新辉 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 周世骏 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及陶瓷电容器材料技术,旨在提供一种交流高压陶瓷电容器用低损耗介质材料及制备方法。该交流高压陶瓷电容器用低损耗介质材料的组份及百分摩尔比为BaTiO3∶MgO∶Y2O3∶Ga2O3∶SiO2=1∶a∶b∶c∶d=1∶0~3%∶0~5%∶0~3%∶0~2%,且a、b、c、d中最多只有一个取值为0。本发明的高压交流电容用低损耗介质材料具有以下特点:交流耐电压高(≥4KV/mm)、电容温度变化率小(-55℃~+150℃,ΔC/C25℃≤±10%)、较低介质损耗(tanδ<1%);不含铅和镉,在使用过程中对环境无污染。本发明材料可用于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。 | ||
搜索关键词: | 交流 高压 陶瓷 电容 器用 损耗 介质 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种交流高压陶瓷电容器用低损耗介质材料,其特征在于,该介质材料的组份及百分摩尔比为BaTiO3∶MgO∶Y2O3∶Ga2O3∶SiO2=1∶a∶b∶c∶d=1∶0~3%∶0~5%∶0~3%∶0~2%,且a、b、c、d中最多只有一个取值为0。
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