[发明专利]在离子注入工艺中使用同位素富集等级的掺杂剂气体组分的方法

摘要

在此提供了一种使用富集和高富集掺杂剂气体的新型工艺，由于能够实现与这种掺杂剂气体的离子注入相关的工艺优势，因此消除了终端使用者当前所遭遇的问题。对于在指定范围内的给定流速，与其相应非富集或较少富集掺杂剂气体相比，设计为在降低的离子源的总功率等级下运行以降低该富集掺杂剂气体的电离效率。还降低了源灯丝的温度，从而当利用含氟富集掺杂剂气体时减轻了氟刻蚀和离子源寿命缩短的不利效果。当有利地将射束电流维持在不用难以接受地背离原来限定的等级时，该降低的总功率等级与降低的电离效率和降低的离子源温度组合，能够相互协同作用以改善并延长离子源寿命。

主权项

一种利用富集掺杂剂气体的方法，包括：以足以维持离子源稳定性的流速引入所述富集掺杂剂气体，其中所述富集掺杂剂气体具有为90％或大于天然丰度等级的其中的同位素富集等级；与在相应较少富集或非富集掺杂剂气体中所采用的总功率等级相比，在降低的离子源总功率等级下操作；以及电离所述富集掺杂剂气体以产生并维持如在所述流速下采用所述相应较少富集或非富集掺杂剂气体所产生的射束电流。